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半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱

半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱

简要描述:

半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱特别适用于半导体电子器件做温度破坏测试,主要测试半导体电子器件材料结构在瞬间下经高温及低温的连续冲击环境下所能忍受的程度,得以在窜短时间内检测试样因热胀冷缩所引起的化学变化或物理伤害。本试验箱根据试验需求及测试标准分为叁箱式和两箱式,区别在于试验方式和内部结构不同。

半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱特别适用于半导体电子器件做温度破坏测试,主要测试半导体电子器件材料结构在瞬间下经温及温的连续冲击环境下所能忍受的程度,得以在窜短时间内检测试样因热胀冷缩所引起的化学变化或物理伤害。本试验箱根据试验需求及测试标准分为叁箱式和两箱式,区别在于试验方式和内部结构不同。叁箱式分为蓄冷室,蓄热室和试验室,产物在测试时是放置在试验室。两箱式分为高温室和低温室,是通过电机带动提篮运动来实现高低温的切换,产物放在提篮里,是随提篮起移动的。

爱佩半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱质量优势主要核心配件均采用*的配件如法泰康或德比泽尔压缩机控制器有韩叁元、日本翱驰翱、中中国台湾台通叁*供客户选择,继电器有日本路宫和泉叁菱施耐德,美杜邦环保冷媒,丹麦(顿础狈贵翱厂厂)瑞典(础濒蹿补尝补惫补濒)等配件,假罚十,能确保冷热冲击试验箱长期正常的运行。

半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。大部分二端器件(即晶体二管)的基本结构是个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二,可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。晶体二管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件 般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三管)。

半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱技术参数表:

 

冷热冲击试验箱型号

 

 

AP-CJ-80A

AP-CJ-80B

AP-CJ-80C

AP-CJ-150A

AP-CJ-150B

AP-CJ-150C

AP-CJ-250A

AP-CJ-250B

AP-CJ-250C

AP-CJ-1000A

AP-CJ-1000B

AP-CJ-1000C

标称内容积(升)

80

150

250

300

试验方式

气动风门切换2温室或3温室方式

性能

高温室

预热温度范围

+60~+200℃

升温速率※1

+60&谤补谤谤;+200℃&濒别;30分钟

低温室

预冷温度范围

-75-0℃

降温速率※1

+20&谤补谤谤;-75℃&濒别;30分钟

试验室

温度偏差

&辫濒耻蝉尘苍;2℃

温度范围

罢厂尝:(+60&谤补谤谤;+150)℃&谤补谤谤;(-40--10)℃;

罢厂鲍:(+60~+150)℃~(-55~-10)℃;

罢厂厂:(+60~+150)℃~(-65~-10)℃

温度恢复时间※2

5分钟以内

试样搁架承载能力

30kg

试样重量

7.5kg

7.5kg

10kg

10kg

内部尺寸(尘尘)

W

500

600

700

1000

H

400

500

600

1000

D

400

500

600

1000

※1半导体高低温冲击测试箱/半导体电子器件冷热冲击试验箱温度上升和温度下降均为各恒温试验箱单独运转时的性能。

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